InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザー
スポンサーリンク
概要
著者
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
関連論文
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長選択型モードホップフリーDBRレーザアレイ(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- C-4-20 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長可変特性
- 半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-20 高結合係数回折格子を有する位相制御波長可変DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-31 チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 半導体モノリシック集積による大規模(lOOch級)WDMチャネルセレクタ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-47 モノリシック集積 100ch-WDM チャネルセレクタ
- C-4-13 2.3-μm波長高歪lnAs/lnP MQW-DFBレーザの長期安定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 結晶成長技術
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-3-3 モノリシック集積型多チャンネル光変調素子の 2.5Gbps 動作
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
- C-4-18 InAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ガスセンサに向けた波長2.3μmの分布帰還型半導体レーザ (特集 センシング用レーザ光源技術)
- InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザー
- 2μm帯半導体レーザとその展望(学生/教養のページ)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 超高速40Gbit/s半導体光変調器(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- SC-5-5 ハイブリッド集積光 XOR 回路を用いた偏波モード分散補償
- SC-4-2 モノリシック集積波長変換素子SIPASを用いた10Gb/s波長多重チャネルから40Gb/sチャネルへのビットレート変換
- C-3-48 レーザダイオードを用いたガス吸収スペクトル測定における反射戻り光の影響(光記録・記測,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-5 MZ変調器をモノリシック集積した波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAsP/InP系温度無依存アレイ格子フィルタ
- InGaAsP/InP系温度無依存波長フィルタ
- C-4-22 1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの反射耐性および信頼性
- C-4-17 Butt-joint型1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの高温動作
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 モードホップフリー波長可変レーザによる疑似アサーマル波長動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 InP基板上n-i-p-n構造における位相変調効率のストライプ方向依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (光エレクトロニクス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (電子部品・材料)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (機構デバイス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (信頼性)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- 電流注入型フォトニック結晶レーザ (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)