MOMBE成長によるInGaAs-歪MQWを用いた2μm帯レーザ

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概要

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• Inp系歪MQWを用いた2ドm帯レーザは、環境・医療分野におけるガスセンサー用の光源として有望である。この報告では、歪量が+1.65%、膜厚が115Aの1nGaAs井戸層を持つ歪MQWのMOMBB成長とこれを用いた2lim帯レーザについて述べる。障壁層のVIIII比と歪量を最適化することにより、膜質の劣化なしにMQWの井戸数を4まで増やすことができた。作製したファブリペローレーザの発振波長は、井戸数の増加に伴って長波長化し、井戸数が4のレーザでは2.07ドm(@55℃)の発振波長が得られた。さらに、DFBレーザを作製し、発振波長2.0521m、出力10mW以上(025℃)の単一モードでの発振が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-10-20

著者

• 杉浦 英雄

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 笠谷 和生

  NTTフォトニクス研究所

• 小笠原 松幸

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 瀾原 学

  Nttフォトニクス研究所

• 杉浦 英雄

  NTTフォトニクス研究所

• 小笠原 松幸

  Nttフォトニクス研究所フォトニクスデバイス研究部

• 満原 学

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 大石 護

  NTTフォトニクス研究所

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