MOMBE成長したInGaAsP膜の組成変調構造におよぼす成長速度の影響

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概要

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• 非混和領域の組成をもつIn_<1-x>Ga_xAs_<0.85>P_<0.15> (0.35≤x≤0.45)膜を成長速度0.25nm/sと0.46nm/sで成長し、InGaAsP膜の組成変調構造におよぼす成長速度の影響を検討した。組成変調構造の評価は、主に、2結晶X線回折法で行った。非対称(224)反射ロッキングカーブに現れるサイドローブの位置と強度から、組成変調構造の周期が約100nmであり、成長速度0.46nm/sの1nGaAsP膜の方が成長速度0.25nm/sのものよりも組成分離が小さいことが分かった。また、透過電子顕微鏡による断面観察と低温フォトルミネッセンスの結果も同様の傾向があることを示した。これらの評価結果から、成長速度を増加するとInGaAsP膜中の組成変調構造の発達が抑制されることが分かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-06-08

著者

• 小笠原 松幸

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 小笠原 松幸

  Nttフォトニクス研究所フォトニクスデバイス研究部

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