歪補償 InAsP-MQW の MOMBE 成長と臨界膜厚の解析
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概要
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MOMBE法により成長した歪補償InAsP/InGaAsP-MQWの臨界膜厚の解析を行い、臨界膜厚の支配要因を検討した。歪補償の異なるMQWを多数成長し、各歪補償量における臨界膜厚を実験的に決定した。この結果を基に、MQWを、井戸層と障壁層の歪を平均した実効歪(ε*)を持ち、MQWと同一の厚さ(dつから成る単層膜で近似するモデルを提案した。Matthews & Blakesleeの理論に、温度に依存する摩擦力n=Ad*exp(B/kT)を加えて臨界膜厚を計算すると、実験で求めた臨界膜厚と良い一致が得られた。その結果、MQWの実効歪(ε*)と温度に依存する摩擦力(F_f)の2つが臨界膜厚の支配要因であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
NTT光エレクトロニクス研究所
-
小笠原 松幸
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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