井上 直久 | Ntt Lsi研
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概要
関連著者
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井上 直久
Ntt Lsi研
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井上 直久
NTT LSI研究所
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井上 直久
大阪府大
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大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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井上 直久
Nttlsi研
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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横山 春喜
NTT LSI研究所
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篠原 正典
NTT LSI研究所
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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藤原 正典
NTT LSI研究所
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
境界領域研究所
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谷本 正文
NTT LSI研究所
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活田 健治
NTT LSI研究所
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杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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井上 直久
大阪府大先端研
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廣野 滋
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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谷本 正文
Ntt基礎技術総合研究所
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本間 芳和
境界研
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蟹沢 聖
NTT LSI研究所
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大坂 二郎
NTT LSI研究所
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広野 滋
NTT LSI研究所
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井上 直久
日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所
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井上 直久
日本電信電話 (株) LSI研究所
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廣野 滋
日本電信電話 (株) LSI研究所
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大坂 次郎
NTT LSI研究所
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廣野 滋
NTT LSI研究所
著作論文
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- 電子顕微鏡その場観察とSTMによるMBE成長表面の評価
- 27p-R-9 走査電子顕微鏡によるMBE GaAs表面被覆率のその場測定
- 半導体結晶の融液成長
- 3.10 金属on半導体
- 半導体超薄膜と量子井戸
- タイトル無し