井上 直久 | 大阪府立大学先端科学研究所
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概要
関連著者
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府大
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井上 直久
大阪府大先端研
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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本間 芳和
東京理科大学
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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原田 英明
大阪府立大学先端科学研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
阪府大産学官
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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森 篤史
徳島大学工学部
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三箇山 毅
大阪府立大学先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学 先端科学研究所
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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井上 直久
阪府大先端研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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溝川 悠介
大阪府立大学総合教育研究機構
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大久保 一平
大阪府立大学先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学先端科学研究所
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卯尾崎 寛
東北大院理
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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山中 陽一郎
大阪府立大学先端科学研究所
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纐纈 明伯
東京農工大
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天野 政信
大阪府立大学 先端科学研究所
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成島 正基
阪府大先端研
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河村 裕一
阪府大先端研
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松尾 有里子
東京農工大工学部
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松尾 有里子
東京農工大学工学部
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大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
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井上 直久
NTT LSI研究所
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岩村 英俊
Ntt光エレ研
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池田 英男
大阪府立大学大学院農学生命科学研究科
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豊田 直樹
阪府大先端研
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松井 広志
阪府大先端研
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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池田 英男
大阪府大院農学生命科学研究科
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池田 英男
大阪府大農学生命科学研究科
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吉松 清庸
阪府大先端研
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山本 明子
大阪府立大学先端科学研究所
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近藤 篤
大阪府立大学先端科学研究所
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船尾 大輔
大阪府立大学先端科学研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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草野 英二
金沢工業大学
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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篠原 正典
NTTマルチメディア推進本部
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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荒木 康弘
静大電子研
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遠藤 聡
阪府大先端研
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夘尾崎 寛
阪府大先端研
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岡本 一宏
阪府大先端研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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夘尾崎 寛
東北大理
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中村 信二
Ntt エレクトロニクス(株)
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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荒木 努
大阪府立大学工学部
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
-
嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
-
白井 満
高エネルギー加速器研究機構
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西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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豊田 直樹
大阪府立大学先端科学研究所
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魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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長村 智司
大阪テクノホルティ園芸学校
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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浅野 清光
秋田高専
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
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阿部 彰雄
学習院大学理学部
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栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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上浦 良友
大阪府立大学総合教育研究機構
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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纈纈 明伯
東京農工大工学部
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夏目 新
阪府大先端研
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棚橋 克人
阪府大先端研
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溝川 悠介
大阪府立大学総合科学部
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棚橋 克人
大阪府大先端研
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東野 徒士之
大阪府大先端研
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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中島 蕃
NTTエレクトロニクス(株) エレクトロニクス事業本部
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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高柳 邦夫
東京工業大学
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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纐纈 明伯
東京農工大学工学部
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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水野 一彦
大阪府立大学大学院工学研究科
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伊藤 太一郎
大府大院工
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
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卯尾崎 寛
阪府大先端研
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栗栖 裕和
阪府大先端研
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鎌田 章弘
阪府大先端研
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箱根 幸秀
阪府大工
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伊藤 太一郎
阪府大工
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遠藤 稔
阪府大先端研
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飯島 靖博
阪府大先端研
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松岡 宏和
大阪府立大学先端科学研究所
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杉本 晃
大阪府立大学先端科学研究所
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三箇山 毅
大阪府大
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松岡 宏和
大阪府大
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上原 赫
大阪府大
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杉本 晃
大阪府大
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水野 一彦
大阪府大
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水野 一彦
阪府大院工
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上原 赫
ルイパストゥール医学研究センター
-
井上 直久
大阪府大産学官
-
井上 恒久
農環研
-
庄子 大生
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
-
植木 武美
NTTエレクトロニクス(株)
-
斎藤 順雄
高松工専
-
仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
-
山口 十六夫
静岡大学
-
岩田 弘
香川県工技センタ
-
中村 茂昭
高松工専
-
相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
-
矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
-
内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
成島 哲也
筑波大学物理学科
-
森 篤史
徳島大工
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
佐藤 英樹
アネルバ株式会社
-
伊藤 太一郎
大阪府立大学工学部
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
-
渡邉 祐樹
埼玉大学
-
森 篤史
徳島大・工
-
金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
著作論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
- シリコン中の窒素の構造決定
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
- シリコンの成長における結晶中温度勾配の成長速度依存性 : バルク成長I
- シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
- 24pY-10 CZシリコンの成長界面での熱のバランスと温度勾配
- 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
- CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- サボテンの水耕 : 4. 培地の検討
- サボテンの水耕における生体重の季節的変化
- サボテンの水耕 : 養液濃度がサボテンの生長に及ぼす効果
- サボテンの水耕 : 現場測定による生長の解析
- 培養液のpH並びに濃度が水耕サボテンの生育と地上部無機要素濃度に及ぼす影響
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 5a-E-12 SiドープされたタイプII In_Al_As/AlAs_Sb_単一量子井戸の電流磁気効果
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- 高品質単分子膜におけるナノメートル領域の分子素子特性
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 28aTA-3 シリコン中の窒素の偏析係数の理論的解析
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
- 窒素ドープ Czochralski シリコン結晶の赤外吸収測定
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション : バルク結晶成長IV
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション(結晶成長理論の最近の動向)
- 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
- 17aTF-13 融液成長における成長速度と温度勾配の関係 : 分子動力学シミュレーション
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl_2O_3(0001)基板上へのGaN直接成長
- 23pYP-2 シリコンの固-液界面における熱挙動と格子欠陥
- ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
- 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥について
- チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構
- 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
- 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- 洋ランの栽培における水やりの基本検討
- バルクシリコン結晶における分析・評価技術
- サマリー・アブストラクト
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化