シリコンの成長における結晶中温度勾配の成長速度依存性 : バルク成長I
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概要
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Dependence of temperature gradient in the CZ Si crystal on the growth rate was examined from the reported measurement result and the positive dependence was found. The mechanism is discussed in terms of the heat flow in the crystal and the solid-liquid interface shape.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
森 篤史
徳島大学工学部
-
棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
-
夏目 新
阪府大先端研
-
棚橋 克人
阪府大先端研
-
井上 直久
阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
夏目 新
大阪府立大学先端科学研究所
-
棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
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