CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(<小特集>シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
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概要
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Behavior of point defects in growing silicon crystal is discussed. Local equilibrium concentration is derived and compared to reported conventional ones. Stress effects on point defects are described such as concentration change around dislocation loops, effects of thermal stress and impurity doping effects. Temperature gradient and heat balance at the solid/liquid interface is discussed in detail because of their important role in determining point defect behavior.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-01-28
著者
-
井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
森 篤史
徳島大学工学部
-
棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
-
棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研研所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
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