絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
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概要
著者
-
中村 信二
Ntt エレクトロニクス(株)
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
中島 蕃
NTTエレクトロニクス(株) エレクトロニクス事業本部
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
植木 武美
NTTエレクトロニクス(株)
-
植木 武美
Nttエレクトロニクス(株)saセンタ
-
植木 武美
Nttエレクトロニクス
-
中村 信二
NTTエレクトロニクス(株)SAセンタ
-
塩野谷 寧
NTTエレクトロニクス(株)SAセンタ
-
中島 蕃
Nttエレクトロニクス
-
中村 信二
Nttエレクトロニクス Saセ
-
井上 直久
大阪府立大先端研
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