断面TEMによるLSI故障解析技術
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概要
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微細化したLSIの故障解析では指定箇所の断面TEM解析が必須となっており、断面TEM試料を短TATかつ高精度に作成できる試料作成技術が求められている。従来の試料作成技術では、研削加工ダメージによる観察部の欠損やFIBの薄片化加工での加工断面の位置合わせ精度の不足等のため微小な欠陥箇所を確実に含む試料を短時間に作成することは困難であった。これらの課題を解決するため、(1)観察部を薄肉化する低ダメージ研削加工法、(2)FIB/SEMの加工同時観察および断面形状表示ツールによる高精度加工位置合わせと(3)超高圧TEMを利用した欠陥位置測定法による高精度薄片化加工法を開発し、試料作成の短TAT化(4日から1日以内)と解析歩留りの向上を実現した。また、本技術をクォーターミクロンCMOS LSIのリーク故障解析、Siウエハの結晶欠陥の構造解析に適用してその有効性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
中村 信二
Ntt エレクトロニクス(株)
-
植木 武美
Nttエレクトロニクス(株)saセンタ
-
竹田 忠雄
日本電信電話株式会社NTT生活環境研究所
-
小峰 行雄
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
中村 信二
日本電信電話株式会社システムエレクトロニクス研究所
-
植木 武美
エレクトロニクス株式会社
-
小峰 行雄
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
-
竹田 忠雄
Nttコミュニケーションズ株式会社
-
竹田 忠雄
日本電信電話(株) システムエレクトロニクス研究所
-
中村 信二
日本電信電話公社
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