発光・発熱解析支援のための故障検証シミュレーション
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概要
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発光発熱解析で観測されたリーク故障と,LSIテスタで得られた論理故障との対応関係を検証する手法を開発した.発光・発熱解析では約1μA以上のリーク電流の存在が観測可能であり,CMOSゲートの論理動作はこのリーク抵抗(数十Ω〜数十kΩ)に大きく依存する.このため本手法ではまず,リークを伴う論理ゲートおよびその前段につながる論理ゲートを構成するトランジスタ回路を抵抗素子とスイッチによる等価回路に置き換え,回路モデルを作成する.次に,この回路モデルにおいてリーク抵抗のとり得る値に対応したゲートの論理動作を論理式で表現し,論理故障モデルを生成する.生成した論理故障モデルは論理シミュレータに組み込まれ,外部端子での論理応答がLSIテスタの測定結果と比較される.両者の一致度が最も高い論理故障モデルが,実際の論理故障に対応しているものと判定される.これにより,高速にリーク故障の検証を行うことが可能となった.本手法を20kゲート規模の論理LSIの発光発熱故障の解析に適用し,リーク故障の検証に有効であることを実証した
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-25
著者
-
中村 信二
Ntt エレクトロニクス(株)
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竹田 忠雄
NTTシステムエレクトロニクス(株)研究所
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久慈 憲夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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中村 信二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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小峰 行雄
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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小峰 行雄
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
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竹田 忠雄
Nttコミュニケーションズ株式会社
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久慈 憲夫
Nttエレクトロニクス株式会社lsi事業本部saセンタ
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