解析用サンプル加工技術
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概要
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本論文は故障箇所の特定と観察を容易化するための各種解析用サンプル加工技術と配線のリペア加工技術について述べている。表面から発光が検出困難なデバイスに対しては上層電源配線の部分剥離、発光反射用傾斜溝加工、裏面発光解析用開口・研磨処理が、多層配線のデバイスのEBテスティングでは層間絶縁膜のRIEによる異方性エッチングが各々有効であること、指定箇所の断面TEMの試料を高精度、短TATで作製できるFIBによる試料作製法、ラッピングおよび選択ウェットエッチング処理による平面/断面SEM試料作製法が微細化・多層配線LSIや高密度フリップチップ実装品の構造解析に大きな効果がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-09
著者
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中村 信二
Ntt エレクトロニクス(株)
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中島 蕃
NTTエレクトロニクス(株) エレクトロニクス事業本部
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中村 信二
NTTエレクトロニクス(株)SAセンタ
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中島 蕃
Nttエレクトロニクス
-
中村 信二
Nttエレクトロニクス Saセ
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