23pYP-7 八面体空洞欠陥(DOV)の構造と生成・消滅過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
関連論文
- ATM回線を介した超高圧電子顕微鏡による電子デバイス断面構造の遠隔観察
- 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
- ネットワークを介した超高圧電子顕微鏡によるLSI微細構造の遠隔観察 (特集論文 グローバルECS/GMNテストベッド)
- 23pYP-7 八面体空洞欠陥(DOV)の構造と生成・消滅過程
- CZ-Si中Grown-in欠陥の透過型電子顕微鏡による観察技術
- Siバルク単結晶内の8面体ボイド状欠陥
- ゲート酸化膜のウィークスポットを検出する銅析出法
- 断面TEMによるLSI故障解析技術
- 故障構造解析へのエキシマレ-ザの応用
- LSIの故障解析に適した断面TEM技術
- 0.25μm CMOS LSIのリ-ク故障解析技術
- 短TAT故障解析技術
- 12-1 Siウエハの欠陥と熱処理工程時のウエハ過度変形(第12部門 情報センシング2)