12-1 Siウエハの欠陥と熱処理工程時のウエハ過度変形(第12部門 情報センシング2)
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概要
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Si wafer defects, produced during insertion/withdrawal into/from furnaces, tend to increase abruptly with increasing diameter of Si wafers. An in-situ observation system is used to quantitatively determine transient deformation of wafers.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2008-08-01