成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
スポンサーリンク
概要
著者
-
河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
河村 裕一
大阪府立大先端研
-
森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
関連論文
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- 半導体超薄膜と量子井戸 (薄膜技術の現状と展開--これからの薄膜) -- (新しい電気・電子,磁気特性の発現を探る)
- Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
- シリコン中の窒素の構造決定
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
- シリコンの成長における結晶中温度勾配の成長速度依存性 : バルク成長I
- シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
- 24pY-10 CZシリコンの成長界面での熱のバランスと温度勾配
- 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
- CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- サボテンの水耕 : 4. 培地の検討
- サボテンの水耕における生体重の季節的変化
- サボテンの水耕 : 養液濃度がサボテンの生長に及ぼす効果
- サボテンの水耕 : 現場測定による生長の解析
- 培養液のpH並びに濃度が水耕サボテンの生育と地上部無機要素濃度に及ぼす影響
- GalnAs/AllnAs系超格子の縦方向量子輸送における磁気トンネリングと電界ドメイン
- 31a-YL-3 GaInAs/AlInAs量子井戸構造におけるI-V特性と磁気トンネリング
- 2a-D-5 一様ドープGa_In_As/Al_In_As MQWの2次元電子サブバンド物性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 5a-E-12 SiドープされたタイプII In_Al_As/AlAs_Sb_単一量子井戸の電流磁気効果
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- 高品質単分子膜におけるナノメートル領域の分子素子特性
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 28aTA-3 シリコン中の窒素の偏析係数の理論的解析
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
- 窒素ドープ Czochralski シリコン結晶の赤外吸収測定
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション : バルク結晶成長IV
- 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション(結晶成長理論の最近の動向)
- 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
- 17aTF-13 融液成長における成長速度と温度勾配の関係 : 分子動力学シミュレーション
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl_2O_3(0001)基板上へのGaN直接成長
- 23pYP-2 シリコンの固-液界面における熱挙動と格子欠陥
- ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
- 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥について
- チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構
- 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
- 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- MBE-GaAs成長過程のSREMその場観察による解析と制御 : 招待講演II
- 30p-J-4 CZシリコン中の酸素ドナー形成モデル
- 引上げ法シリコン中の酸素の析出機構
- 真空FZ法によるシリコン単結晶の育成 : 融液成長
- 7p-N-2 CZシリコン単結晶の低温赤外吸収
- CZシリコン中の酸素の挙動 : 融液成長と蒸着膜
- 洋ランの栽培における水やりの基本検討
- パワー半導体レーザと応用の動向
- バルクシリコン結晶における分析・評価技術
- InPベース波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザ
- InP基板上の波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザの開発
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
- 25pWE-9 シリコン中の窒素空孔複合体の基準振動の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)