InPベース波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザ
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概要
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InGaAsSbN quantum well (QW) laser diodes on InP in 2μm wavelength region were grown by molecular beam epitaxy (MBE). It was found that increase in Sb composition improved properties of InGaAsSbN QW laser diodes. We observed electroluminescence at 4.51μm at room temperature for InAsSbN QW laser diodes, and laser operation at 2.31 2μm at 190K. Annealing effects were also studied.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-05-01
著者
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