河村 裕一 | 大阪府立大学附属先端科学研究所
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概要
関連著者
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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井上 直久
大阪府大
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府大先端研
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大先端研
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大阪府立大学附属先端科学研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学総合科学部
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研研所
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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大内 一浩
大阪府立大学 先端科学研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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大内 一浩
大阪府立大学先端科学研究所
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高崎 英樹
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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天野 政信
大阪府立大学 先端科学研究所
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天野 政信
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
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山本 明子
大阪府立大学先端科学研究所
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近藤 篤
大阪府立大学先端科学研究所
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藤本 理斗
大阪府立大学先端科学研究所
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片山 貴寛
大阪府立大学先端科学研究所
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森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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平山 秀樹
理化学研究所
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浅井 裕充
Ntt光エレクトロニクス研究所
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篠原 正典
NTTマルチメディア推進本部
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山田 省二
北陸先端大材料
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山本 研吾
北陸先端大・材料
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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權田 俊一
福井工業大学宇宙通信工学科
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荒木 努
大阪府立大学工学部
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卯尾崎 寛
東北大院理
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豊田 直樹
大阪府立大学先端科学研究所
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内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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原田 英明
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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川合 泰弘
北陸先端大材料
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成島 正基
阪府大先端研
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權田 俊一
福井工業大学
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中川 智克
大阪府立大学 先端科学研究所
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松井 広志
大阪府立大学、先端科学研究所
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成島 正基
大阪府立大学、先端科学研究所
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飯島 靖博
大阪府立大学、先端科学研究所
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遠藤 聡
大阪府立大学、先端科学研究所
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夘尾崎 寛
大阪府立大学、先端科学研究所
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大阪府立大学 先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学産学官連携機構先端科学イノベーションセンター
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河村 裕一
大阪府立大学
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研研所
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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山田 省二
北陸先端大
著作論文
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GalnAs/AllnAs系超格子の縦方向量子輸送における磁気トンネリングと電界ドメイン
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
- 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
- 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
- InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
- 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
- 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
- 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
- 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
- パワー半導体レーザと応用の動向
- InPベース波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザ
- InP基板上の波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザの開発
- 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価