井上 直久 | 大阪府立大先端研

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概要

• 同名の論文著者
• 大阪府立大先端研の論文著者

関連著者

• 井上 直久

  大阪府大先端研

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 河村 裕一

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 菊池 通真

  大阪府立大学先端科学研究所

• 本間 芳和

  東理大

• 本間 芳和

  Ntt 物性科学基礎研

• 原田 英明

  大阪府立大学先端科学研究所

• 東野 徒士之

  大阪府立大学先端科学研究所

• 本間 芳和

  NTT基礎技術総合研究所

• 三箇山 毅

  大阪府立大学先端科学研究所

• 森本 恵造

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 森 篤史

  徳島大学工学部

• 本間 芳和

  Ntt物性基礎研

• 大坂 次郎

  Nttフォトニクス研究所

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 本間 芳和

  Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部

• 小川 倉一

  大阪府立産業技術総合研究所

• 岡本 昭夫

  大阪府立産業技術総合研究所

• 川合 知二

  大阪大学産業科学研究所

• 草野 英二

  金沢工業大学

• 安井 利明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 鈴木 一弘

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 水谷 五郎

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 岡本 良雄

  (株)日立製作所機械研究所

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 佐藤 義幸

  大阪工業技術研究所

• 加地 博子

  岡山理科大学工学部

• 吉森 昭夫

  岡山理科大学

• 美本 和彦

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 松本 貴士

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 日比野 豊

  (株)イオン工学研究所

• 戸坂 亜希

  学習院大学理学部

• 五十嵐 慎一

  学習院大学理学部

• 平山 孝人

  学習院大学理学部

• 菊地 直人

  金沢工業大学AMS R&D C

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• 徐 國春

  (株)イオン工学研究所

• 今西 幸男

  奈良先端科学技術大学院大学

• 鈴木 泰雄

  (株)イオン工学研究所

• 田村 繁治

  大阪工業技術研究所

• 田畑 仁

  大阪大学産業科学研究所

• 南戸 秀仁

  金沢工業大学

• 小林 信一

  埼玉大学

• 安達 俊

  学習院大学理学部

• 見附 孝一郎

  分子科学研究所

• 日置 亜也子

  大阪府立産業技術総合研究所

• 吉竹 正明

  大阪府立産業技術総合研究所

• 野坂 俊紀

  大阪府立産業技術総合研究所

• 竹内 協子

  (株)アルバック・コーポレートセンター

• 山中 陽一郎

  大阪府立大学先端科学研究所

• 潮田 資勝

  北陸先端科学技術大学院大学

• 谷原 正夫

  (株)イオン工学研究所

• 横山 哲志

  玉川大学工学部

• 酒井 創

  福島女子短期大学

• 大越 康宏

  福島女子短期大学

• 小池 卓郎

  玉川大学工学部

• 田中 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 脇本 裕之

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 持地 広造

  科学技術振興事業団さきがけ研究21

• 杉山 渉

  秋田大学工学資源学部

• 美馬 宏司

  大阪市立大学

• 山下 学

  日立製作所 デバイス開発センター

• 田中 俊一郎

  科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト

• 大島 義文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 山内 大輔

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 井上 幸二

  大阪府立産業技術総合研究所

• 藤村 喜久郎

  鳥取大学工学部

• 井口 征夫

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 高橋 夏木

  日本真空技術(株)産業機器事業部

• 大久保 治

  日本真空技術(株)産業機器事業部

• 筧 芳治

  大阪府立産業技術総合研究所

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 田中 虔一

  埼玉工業大学大学院工学研究科

• 木村 康男

  東北大学電気通信研究所

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所

• 麻蒔 立男

  東京理科大学・工学部

• 四谷 任

  (財)大阪科学技術センター

• 永井 稔

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 富取 正彦

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 柴田 明

  福井工業高等専門学校

• 篠原 正典

  NTTマルチメディア推進本部

• 笠原 章

  金属材料技術研究所

• 吉原 一紘

  金属材料技術研究所

• 嘉藤 誠

  日本電子株式会社

• 境 悠治

  日本電子株式会社

• 木内 正人

  大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター

• 村上 寛

  電子技術総合研究所

• 高草木 達

  東京大学大学院理学系化学専攻

• 小林 哲彦

  大阪工業技術研究所

• 安藤 昌儀

  大阪工業技術研究所

• 荒木 康弘

  静大電子研

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 篠原 正典

  Nttマルチメディア事業部

• 中村 信二

  Ntt エレクトロニクス(株)

• 土佐 正弘

  金属材料技術研究所

• 山本 節夫

  山口大学工学部

• 栗巣 普揮

  山口大学工学部

• 松浦 満

  山口大学工学部

• 荒木 努

  大阪府立大学工学部

• 久松 広美

  高エネルギー加速器研究機構

• 梅咲 則正

  大阪工業技術研究所光機能材料部

• 金澤 健一

  高エネルギー加速器研究機構

• 末次 祐介

  高エネルギー加速器研究機構

• 嶋本 真幸

  高エネルギー加速器研究機構

• 白井 満

  高エネルギー加速器研究機構

• 西脇 みちる

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 佐藤 政行

  高エネルギー加速器研究機構

• 山本 顕弘

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 竹内 孝江

  奈良女子大学

• 木内 正人

  大阪工業技術研究所

• 岩澤 康裕

  東京大学大学院理学研究科

• 卯尾崎 寛

  東北大院理

• 豊田 直樹

  大阪府立大学先端科学研究所

• 魯 大凌

  東京工業大学資源化学研究所, CREST

• 井口 大介

  学習院大学理学部

• 神戸 美雪

  学習院大学理学部

• 阿部 雪子

  学習院大学理学部

• 入江 泰雄

  学習院大学理学部

• 西岡 泰城

  テキサスインスツルメント筑波研究開発センター

• 佐藤 吉博

  高エネルギー加速器研究機構

• 内藤 裕義

  大阪府立大学大学院工学研究科

• 和佐 清孝

  横浜市立大学理学部

• 吉信 達夫

  大阪大学産業科学研究所

• 岩崎 裕

  大阪大学産業科学研究所

• 麻蒔 立男

  東京理科大学工学部・電気工学科

• 松尾 二郎

  京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター

• 加藤 正明

  群馬工業高等専門学校

• 石川 一政

  千葉工業大学精密機械工学科

• 福島 和宏

  金沢工業大学 AMS R&D C

• 池田 佳広

  金沢工業大学AMS R & D C

• 彩木 傑

  金沢工業大学AMS R & D C

• 北河 勝

  金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター

• 佐藤 彰繁

  金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター

• 佐野 睦

  日本原子力研究所

• 板倉 明子

  金属材料技術研究所

• 清水 達夫

  テキサスインスツルメント筑波研究開発センター

• 佐藤 弘子

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 道園 真一郎

  高エネルギー加速器研究機構

• 奥野 和彦

  東京都立大学理学部

• 奥野 和彦

  東京都立大学

• 清水 宏

  電気通信大学

• 中川 行人

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 久保 富夫

  高エネルギー加速器研究機構

• 関川 健太郎

  埼玉大学

• 山田 公

  京都大学工学部附属イオン工学実験施設

• 高橋 善和

  日本真空技術株式会社筑波超材料研究所

• 安本 正人

  大阪工業技術研究所

• 中野 博彦

  (株)サムコインターナショナル研究所

• 立田 利明

  (株)サムコインターナショナル研究所

• 沖村 邦雄

  東海大学工学部電子工学科

• 沖村 邦雄

  東海大学電子工学科

• 浅野 清光

  秋田高専

• 桜井 誠

  分子科学研究所

• 阿川 義昭

  日本真空技術(株)

• 関 孝男

  学習院大学理学部

• 阿部 彰雄

  学習院大学理学部

• 栗山 大人

  学習院大学理学部

• 山口 良隆

  東京大学大学院理学系化学専攻

• 吉川 貴文

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 大田 暢彦

  (株)安川電機 開発研究所

• 辻 泰

  (株)アルバック・コーポレートセンター

• 秋道 斉

  (株)アルバック・コーポレートセンター

• 田中 智成

  (株)アルバック・コーポレトーセンター

• 浜松 諭子

  学習院大学理学部

• 上浦 良友

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 大坂 次郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 纈纈 明伯

  東京農工大工学部

• 溝川 悠介

  大阪府立大学総合科学部

• 棚走 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 水野 茂

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 魚田 雅彦

  高エネルギー加速器研究機構

• 宮崎 俊彦

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 小原 宏之

  玉川大学工学部

• 中島 秀文

  玉川大学工学部

• 北原 武

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 板橋 直志

  日立製作所中央研究所

• 小林 信夫

  東京都立大学理学部

• 中島 蕃

  NTTエレクトロニクス(株) エレクトロニクス事業本部

• 佐々木 雅夫

  アネルバ株式会社

• 一村 信吾

  電子技術総合研究所

• 朝倉 清高

  東京大学大学院理学研究科

• 大手 丈夫

  群馬工業高等専門学校

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 須藤 孝一

  大阪大学産業科学研究所

• 須東 稔実

  東京理科大学工学部電気工学科

• 則光 良幸

  東京理科大学工学部電気工学科

• 生方 則往

  東京理科大学工学部電気工学科

• 老沼 良浩

  東京理科大学工学部電気工学科

• 大井 聖也

  群馬工業高等専門学校

• 塩谷 隆

  群馬工業高等専門学校

• 田島 健一

  群馬工業高等専門学校

• 堀本 大介

  群馬工業高等専門学校

• 小島 明

  群馬工業高等専門学校

• 橘内 浩之

  日立製作所 機械研究所

• 岸田 将明

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

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著作論文

• 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
• Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
• シリコン中の窒素の構造決定
• GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
• 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
• シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
• GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
• シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
• 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
• CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
• SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
• シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
• 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
• シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
• GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
• GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明
• 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
• In_Ga_As/GaAs_Sb_yタイプII多重量子井戸層のMBE成長
• 分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 窒素ドープ Czochralski シリコン結晶の赤外吸収測定
• 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション(結晶成長理論の最近の動向)
• 絶縁体上のシリコン層(SOI)に形成したデバイスにおけるタングステンコンタクト不良の構造解析
• InP(111)B基板上へのGaAs_Sb_層の分子線エピタキシャル成長
• ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl_2O_3(0001)基板上へのGaN直接成長
• ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
• 分子線成長In_Ga_As/GaAs_Sb_タイプII多重量子井戸層のフォトルミネセンスのドーピング依存性
• 分子線成長GaAs_Sb_層のドーピング特性
• 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察
• シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
• チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構
• 31a-S-9 マイクロ波による半導体超格子のサイクロトロン共鳴とドハース効果
• 成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
• バルクシリコン結晶における分析・評価技術
• サマリー・アブストラクト
• サマリー・アブストラクト
• シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
• 光制御型InAlAs/InPタイプII共鳴トンネルダイオードの分子線エピタキシャル成長と評価
• Czochralskiシリコン結晶中の窒素濃度測定の高精度化
• 25pWE-9 シリコン中の窒素空孔複合体の基準振動の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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