シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
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概要
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Nitrogen doping has attracted much attention because it reduces secondary defects. It is important for clarification of this reduction mechanism and for nitrogen concentration measurement to reveal the nitrogen configurations and the origin of infrared absorption bands. In this paper, the atomic-level behavior of nitrogen is revealed by using molecular orbital method and valence force method.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
大久保 一平
大阪府立大学先端科学研究所
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
船尾 大輔
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
-
大久保 一平
大阪府立大先端研
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