InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
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概要
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MOVPE成長によるInGaN三元混晶の成長に化学平衡モデルが適用され、平衡分圧、析出の相図が計算され、成長条件が論じられている。MOVPEにより成長したInGaNの混晶組成は熱力学に支配されることが示されている。InGaN混晶の固相組成がIII族有機金属原料の供給モル比に比例しなくなる原因や三元窒化物混晶における組成不安定領域の存在が議論されている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-16
著者
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