関 壽 | 東京農工大学・工
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概要
関連著者
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関 壽
東京農工大学・工
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関 寿
農工大
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纐纈 明伯
東京農工大
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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関 寿
東京農工大学 工学部
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関 寿
農工大 工
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藤本 正友
武蔵野通研
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高橋 直行
静大院理工
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高橋 直行
東京農工大学工学部
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熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
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熊谷 義直
東京農工大学
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瀧 哲也
東京農工大学工学部
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青木 達雄
武蔵野通研
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纐纈 明伯
農工大 工
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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森 研二
農工大 工
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鈴木 健之
国立大学法人東京農工大学大学院共生科学技術研究院物質機能科学部門
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寒川 義裕
九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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小倉 弘幸
東京農工大 工
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小川 哲朗
ペンタックス株式会社
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小川 哲朗
旭光学工業(株) 医用機器事業部 ニューセラミックス部
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松村 光芳
農工大 工
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額織 明伯
農工大 工
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纐纈 明伯
農工大工
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小川 哲朗
ペンタックス
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松尾 有里子
東京農工大工学部
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松尾 有里子
東京農工大学工学部
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三浦 祥紀
東京農工大学工学部
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広瀬 光男
農工大
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佐々 紘一
三菱金属・化半センター
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関 壽
(株)巴商会 技術本部 横浜研究所
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Ogawa Tetsuro
PENTAX Corporation
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佐藤 公彦
農工大
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国司 洋介
東京農工大学 工学部
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仁村 幹彦
東京農工大学・工
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仁村 幹彦
帝人システムテクノロジー
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小川 哲朗
農工大 工
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Ogawa Tetsuro
Research And Development Department New Ceramics Division Life Care Headquarters Pentax Corporation
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Ogawa Tetsuro
R&d Department Of New Ceramic Division Life Care Business Division Pentax Corporation
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木下 正幸
東京農工大 工
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荒木 日出磨
通研
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藤本 洋一
農工大
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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真弓 美帆
東京農工大学・工
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西森 洋介
東京農工大学・工
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緩綴 明伯
農工大 工
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佐藤 耕一
農工大 工
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織撤 明伯
農工大 工
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鈴木 健之
東京農工大学工学部物質生物工学科
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綾綴 明伯
農工大 工
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太田 克朗
農工大 工
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藤本 疋友
武蔵野通研
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戸川 宗則
農工大 工
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関 宏志
農工大工
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関 寿
農工大工
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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寒川 義裕
九大・応力研
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纐纈 明伯
東京農工大学 工学部
著作論文
- In_ Ga_x As_y P_ 四元混晶の気相成長
- GaAs(001)Ga面上への水素吸着 : その場観察とab initio計算
- N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
- 化合物半導体の原子層エピタキシー
- GaAs原子層エピタキシーのその場観察 : グラヴィメトリック法および表面光吸収法(「核形成と成長カイネティクス」)
- ハロゲン系原子層エピタキシ-におけるGaAs成長過程のその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- 開管系におけるInPの気相成長 : 結晶成長
- GaAsの気相成長に関する熱力学的考察 : 半導体(結晶成長)
- 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
- 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
- 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
- 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
- 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- 西澤潤一
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-1-混晶薄膜の結晶成長メカニズム
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術 (薄膜技術--ウェットかドライか)
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(III) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(II) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(I) : エピタキシー
- GaおよびInのHClによる気相輸送
- 電気天秤と透明炉によるGaAsクラストの観察
- 単一温度域法によるGaAsの気相成長;GaAs-AsCl_3-He-H_2系 : VPEとホイスカー
- 単一温度域法によるGaAsの低温成長
- Ga-(As,P)Cl_3-H_2系におけるクラスト形成過程の直接観察 : エピタクシー
- 高融点酸化物の非晶質化とイオン伝導性
- 3-5族半導体の気相エピタキシャル成長
- AlGaInP四元混晶の平衡計算
- In_ Ga_x As_y P_ 気相成長の熱力学計算
- 単一温度域法による高純度GaAsの気相成長 : 気相成長