22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
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概要
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The thermodynamic analysis of MOVPE growth using N_2H_4 is investigated, compared with NH_3 which is current being used as a group v source. Lt is shown that the formation of indium containing nitrides proceeds markedly in the N_2H_4 source system without the deposition of In droplets. Ln the In_xGa_<1-X>N growth, the deviation of solid compositions from a linear function of the input mole ratio of the group III is suppressed significantly in the N_2H_4 system.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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