常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
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概要
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As desorption process from GaAS(001) surface under atmospheric pressure of hydrogen is investigated by ab initio clculation. The value of the activation energy obtained from the calculations is close to the experimental value by in situ gravimetric (GM) method during the (1×1) to (2×4) transition. Our results show that H-adsorbed (2×4) reconstructed surfaces exist under the H2 ambient, and then As atoms on the surface desorb from the surface as As_2H_2 molecules.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
入澤 寿美
学習院大学
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
寒川 義裕
九大・応力研
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