結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,<特集>日本結晶成長学会創立30周年記念)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-01-31
著者
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学 理工学部 材料機能工学科
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
関連論文
- 日本結晶成長学会・会長退任にあたり
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- LPE法によるGe(111)表面のステップフリー化
- 26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 26aE02 ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Thin Film and Epitaxial Crystal Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- 原子層エピタキシーに魅せられて : 窒化ガリウム自立基板結晶の創製
- InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- シリコン中の窒素の構造決定
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析
- 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態の解析(ハードディスクドライブ及び一般)
- GaAs(001)Ga面上への水素吸着 : その場観察とab initio計算
- N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
- 化合物半導体の原子層エピタキシー
- GaAs原子層エピタキシーのその場観察 : グラヴィメトリック法および表面光吸収法(「核形成と成長カイネティクス」)
- Al原料制御によるAlNのHVPE成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- ナノ未来材料
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
- 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
- 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
- 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
- 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
- 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
- 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
- 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
- InPマイクロチャンネルエピタキシーにおける界面過飽和度とステップ移動速度 : 溶液成長
- LPEマイクロチャンネルエピタキシーにおける積層欠陥での2次元核の発生 : 溶液成長
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 窒化物半導体の結晶成長の現状と課題 : 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して(日本結晶成長学会特別講演会)
- 量子ドットの使い道(量子ドットの使い道)
- 日本結晶成長学会の醍醐味(閑話休題)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 会員数の変遷が示す日本結晶成長学会発展への課題(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
- 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
- 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
- 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
- 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(III) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(II) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(I) : エピタキシー
- 日本結晶成長学会第10代会長挨拶
- エピタキシャル成長とバッファー層
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Numerical Model for Oxygen Incorporation into AlGaAs Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Microchannel Epitaxy of GaAs from Parallel and Nonparallel Seeds : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- AlSb Compositional Nonuniformity Induced by Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of Al_xGa_Sb
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- A VISUAL CUE ENHANCES DIFFERENTIAL SENSITIVITY IN THE FEEDING BEHAVIOR OF DROSOPHILA(Physiology)(Proceeding of the Seventy-Third Annual Meeting of the Zoological Society of Japan)
- Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
- Comparative Ground Experiment of GaSb:Te Melt Growth to the Space Experiment by Chinese Recoverable Satellite
- 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)開催報告(学会活動報告)