23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
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概要
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The process of the lateral coalescence in the MCE of InP by LPE was studied. We suggest two modes of the lateral coalescence: the "one-zipper" and the "two-zipper" growth. Dislocations are usually found in the coalescent region when the growth is in the "two-zipper" mode, however, when the growth changes to the "one-zipper" mode, even the coalescent region becomes dislocation-free.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
-
巖 崢
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
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