25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Molecular beam epitaxy (MBE) was observed using in situ reflectivity monitor system. The thickness of the grown layer is able to be controlled by the real time monitor of the resonant wave length of the cavity.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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