17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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GaN crystals have been one of the most promising materials for the use in short wavelength laser diode. We have studied to grow BP layer on 2 inch in diameter silicon substrates for buffer crystal of c-GaN. It has been found that BP layer with around 1μm thickness has been successfully grown on silicon substrates without cracks. The continuous GaN crystals have been obtained on BP/Si substrates using MBE. The crystal growth technique and crystal quality will be discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
-
寺嶋 一高
湘南工科大学
-
寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
-
西村 鈴香
湘南工科大学マテリアル工学科
-
竹内 智彦
慶應義塾大学理工学研究科
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学 理工学部 材料機能工学科
-
竹内 智彦
慶應義塾大学
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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