Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Dependence of reaction temperature and miscut angles on step bunching upon vicinal Si (001) surfaces after As deposition was studied with STM. The step bunching easily emerges after As deposition and an increase in the miscut angle enhanced it. The crystallization process of GaAs buffer layers on Si substrates was also studied. It was found that the surface steps largely influence the crystallization of the buffer layers.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
西永 頌
豊橋技術科学大学
-
松永 泰彦
東京大学大学院工学系研究科
-
成塚 重弥
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
関連論文
- A. A. Chernov編, J. E. S. Bradley訳: Growth of Crystals, Vol. 11, Consultants Bureau, New York, 1979, ix+386ページ, 28×22cm, 14,790円.
- LPE法によるGe(111)表面のステップフリー化
- 26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 26aE02 ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Thin Film and Epitaxial Crystal Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 21世紀を展望する(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 宇宙ステーション時代の新世紀に向けて
- 22pTD-1 はじめに
- 22pTD-1 はじめに
- LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
- 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
- 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
- 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
- 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- GaAs MBE成長における(lll)B隣接面上でのマクロステップ生成・消滅のその場観察 : 成長界面I
- Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
- 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
- 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
- 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
- InPマイクロチャンネルエピタキシーにおける界面過飽和度とステップ移動速度 : 溶液成長
- LPEマイクロチャンネルエピタキシーにおける積層欠陥での2次元核の発生 : 溶液成長
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (磁性体物理)
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長とその伝導特性
- 磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
- 窒化物半導体の結晶成長の現状と課題 : 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して(日本結晶成長学会特別講演会)
- 量子ドットの使い道(量子ドットの使い道)
- 日本結晶成長学会の醍醐味(閑話休題)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 会員数の変遷が示す日本結晶成長学会発展への課題(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 理論家と実験家は一つになれるか
- 結晶成長とマイクログラビティ
- 学長インタビュー 豊橋技術科学大学 ものづくりの喜びとともに歩む「らせん型教育」の実践
- 国立大学法人化 大学はこう変わったパート2(33)事務改革の取組について(3)
- 微小重力下で成長させたGaSbにおけるTe濃度分布X線トポグラフによる測定
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)報告
- 微小重力下と半導体
- B-010 現代GP「持続可能な社会につながる環境教育の推進」における持続社会コーディネーター育成の試み : 持続可能技術と社会の橋渡しを目指す教育プログラムの構築(ポスター発表論文,(B)工学教育に関するGood Practice)
- 03aA01 バルク成長分科会設立のころ : 原点を振り返り今後を考える(バルク成長シンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
- ヘテロエピタキシにおける無転位技術 : マイクロチャネルエピタキシ : その可能性を探る(学会統合記念)
- 26aE01 面間拡散とその応用 : マイクロ・ナノ構造の作製に向けて(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 格子定数差の大きなヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術 : マイクロチャネルエピタキシー : 発想の原点と将来展望
- 結晶成長学会とともに(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- フライブルグ大学 K.W.Benz 教授退官記念コロキューム
- 技術教育の多様性
- グローバルな視点からの自動車技術
- 日本の大学の実力(私の意見)
- 日本マイクログラビティ応用学会会報発刊のころ
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- マイクロプローブ-RHEED/SEM MBEによるGaAsピラミッド形成の実時間観察と形態制御 : エピタキシャル成長III
- 化合物半導体における格子不整合とマイクロチャネルエピタキシー
- 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
- O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
- 29p-T-4 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導II
- 26a-P-11 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導
- 25aL-4 GaAs分子線エピタキシにおける二次元核の制御と微細構造作製への応用
- 微小重力下でのシリコンの融液成長(無重力下における結晶成長)
- 有住徹彌名大名誉教授を悼む
- 27pC13 GaAs MBE成長における再構成構造のダイナミクス(気相成長IV)
- GaAs-MBE成長におけるGaのAs取り込みメカニズム : 気相成長II
- Gaフラックス過剰下でのGaAs-MBE成長 : 気相成長II
- MBE成長における核形成とステップカイネティックス(原子レベルでの結晶成長)
- 低As圧下でのModulation MBE : エピタキシーI
- Numerical Model for Oxygen Incorporation into AlGaAs Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy
- 宇宙で成長させたGaSbのX線トポグラフおよびX線回折法による評価
- Microchannel Epitaxy of GaAs from Parallel and Nonparallel Seeds : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- AlSb Compositional Nonuniformity Induced by Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of Al_xGa_Sb
- A VISUAL CUE ENHANCES DIFFERENTIAL SENSITIVITY IN THE FEEDING BEHAVIOR OF DROSOPHILA(Physiology)(Proceeding of the Seventy-Third Annual Meeting of the Zoological Society of Japan)
- 27pC12 GaAs基板上InAs MBEの初期過程(気相成長IV)
- フライブルグ大学K.W.Benz教授退官記念コロキューム(閑話休題)
- Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
- Comparative Ground Experiment of GaSb:Te Melt Growth to the Space Experiment by Chinese Recoverable Satellite
- Bi2O3, 薄膜の電気的性質
- 温度勾配下でのマクロステップ消滅の解析 : 基礎II
- 結晶成長を学問として
- わが国宇宙実験黎明期における半導体の結晶成長 (特集 国際宇宙ステーション時代の結晶成長(その1))
- 第7回先端材料国際会議(ROCAM 2012)および結晶成長と太陽電池材料に関する国際スクール
- 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)開催報告(学会活動報告)
- 原子層制御から原子位置制御へ (原子層制御から原子制御へ)
- ホップ・ステップ・ジャンプ 薄膜エピタキシの基礎
- 第9回結晶成長国際会議報告
- 軸足の位置
- 西岡先生の思い出