ヘテロエピタキシにおける無転位技術 : マイクロチャネルエピタキシ : その可能性を探る(<小特集1>学会統合記念)
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概要
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格子定数差の大きいヘテロエピタキシにおける無転位結晶成長技術,マイクロチャネルエピタキシ(Microchannel Epitaxy, MCE)につき述べた.MCEの基本的考え方は,エピタキシにおいて,基板の結晶情報は受け継ぐが,欠陥情報は排除するというものである.これを実現するため基板に非晶質膜を形成し,そこに狭い窓(マイクロチャネル)を開け,そこを通し,横方向または縦方向に板状結晶を成長させる.この各々を,水平マイクロチャネルエピタキシ(HMCE),垂直マイクロチャネルエピタキシ(VMCE)と呼ぶ.この,両方の実例を紹介した.HMCEの場合,成長層の合体が起こるが,そこで形成される欠陥を排除する方法について述べた.MCE技術を最も高度に利用するためには,マイクロチャネルをnmレベルで狭くすることが大切であり,そのことにより非晶質膜上に,無転位エピタキシャル膜が実現できると同時に基板から電気的にも絶縁された薄膜が形成されることを述べた.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-03-31
著者
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