マイクロプローブ-RHEED/SEM MBEによるGaAsピラミッド形成の実時間観察と形態制御 : エピタキシャル成長III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The formation process of GaAs pyramids on GaAs (III) B patterned substrate was monitored in real-time by microprobe-RHEED/SEM installed in MBE chamber and the change in top size of truncated pyramid was measured. By changing As pressure, we could decrease and increase the top size in reversible manner. With this technique we could control the top size on which 3D structure can be fabricated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
高田 幹
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
豊橋技術科学大学
-
西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
-
小倉 誉之
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
関連論文
- A. A. Chernov編, J. E. S. Bradley訳: Growth of Crystals, Vol. 11, Consultants Bureau, New York, 1979, ix+386ページ, 28×22cm, 14,790円.
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 21世紀を展望する(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 宇宙ステーション時代の新世紀に向けて
- 22pTD-1 はじめに
- 22pTD-1 はじめに
- LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- GaAs MBE成長における(lll)B隣接面上でのマクロステップ生成・消滅のその場観察 : 成長界面I
- Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
- 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
- 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
- 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
- InPマイクロチャンネルエピタキシーにおける界面過飽和度とステップ移動速度 : 溶液成長
- LPEマイクロチャンネルエピタキシーにおける積層欠陥での2次元核の発生 : 溶液成長
- InP横方向成長におけるステップ源
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (磁性体物理)
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長とその伝導特性
- 磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
- 理論家と実験家は一つになれるか
- 結晶成長とマイクログラビティ
- 学長インタビュー 豊橋技術科学大学 ものづくりの喜びとともに歩む「らせん型教育」の実践
- 国立大学法人化 大学はこう変わったパート2(33)事務改革の取組について(3)
- 微小重力下で成長させたGaSbにおけるTe濃度分布X線トポグラフによる測定
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)報告
- 微小重力下と半導体
- B-010 現代GP「持続可能な社会につながる環境教育の推進」における持続社会コーディネーター育成の試み : 持続可能技術と社会の橋渡しを目指す教育プログラムの構築(ポスター発表論文,(B)工学教育に関するGood Practice)
- 03aA01 バルク成長分科会設立のころ : 原点を振り返り今後を考える(バルク成長シンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
- ヘテロエピタキシにおける無転位技術 : マイクロチャネルエピタキシ : その可能性を探る(学会統合記念)
- 26aE01 面間拡散とその応用 : マイクロ・ナノ構造の作製に向けて(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 格子定数差の大きなヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術 : マイクロチャネルエピタキシー : 発想の原点と将来展望
- 結晶成長学会とともに(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- フライブルグ大学 K.W.Benz 教授退官記念コロキューム
- 技術教育の多様性
- グローバルな視点からの自動車技術
- 日本の大学の実力(私の意見)
- 日本マイクログラビティ応用学会会報発刊のころ
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- マイクロプローブ-RHEED/SEM MBEによるGaAsピラミッド形成の実時間観察と形態制御 : エピタキシャル成長III
- 化合物半導体における格子不整合とマイクロチャネルエピタキシー
- 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
- O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
- 中国の回収型衛星によるGaSbのブリッジマン成長 : 溶液成長のその場観察III
- 29p-T-4 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導II
- 26a-P-11 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導
- 5p-L-2 結晶成長を用いたナノ構造の作製 : 面間表面拡散の素過程とその制御
- ディスク形状を持つ段差基板上での GaAs MBE 成長の実時間観察 : エピタキシー I
- 25aL-4 GaAs分子線エピタキシにおける二次元核の制御と微細構造作製への応用
- 微小重力下でのシリコンの融液成長(無重力下における結晶成長)
- 有住徹彌名大名誉教授を悼む
- 27pC13 GaAs MBE成長における再構成構造のダイナミクス(気相成長IV)
- GaAs-MBE成長におけるGaのAs取り込みメカニズム : 気相成長II
- Gaフラックス過剰下でのGaAs-MBE成長 : 気相成長II
- MBE成長における核形成とステップカイネティックス(原子レベルでの結晶成長)
- 低As圧下でのModulation MBE : エピタキシーI
- 宇宙で成長させたGaSbのX線トポグラフおよびX線回折法による評価
- 微小重力下で成長させたGaSbにおけるTe濃度分布とその解析
- NASAのGASプログラムによるGaSbのブリッジマン成長 -計画の概要と地上予備実験-
- 27pC12 GaAs基板上InAs MBEの初期過程(気相成長IV)
- フライブルグ大学K.W.Benz教授退官記念コロキューム(閑話休題)
- Bi2O3, 薄膜の電気的性質
- ビスマス薄膜の酸化
- 温度勾配下でのマクロステップ消滅の解析 : 基礎II
- 結晶成長を学問として
- わが国宇宙実験黎明期における半導体の結晶成長 (特集 国際宇宙ステーション時代の結晶成長(その1))
- 第7回先端材料国際会議(ROCAM 2012)および結晶成長と太陽電池材料に関する国際スクール
- 研究大型プロジェクト
- 原子層制御から原子位置制御へ (原子層制御から原子制御へ)
- ホップ・ステップ・ジャンプ 薄膜エピタキシの基礎
- 結晶成長国際会議(マルセーユ)報告
- 第9回結晶成長国際会議報告
- 軸足の位置
- ICCG-12/ICVGE-10報告
- 西岡先生の思い出
- "なぜ"と"チャンス"
- "表面"と"結晶成長"
- "ふわっと'92"と中国回収型衛星実験
- 結晶成長の価値
- 微小重力と先端基礎研究
- GaAs(110)基板上でのGaAsのPSE/MBE選択成長
- 二つの価値ベクトル (大学教育と企業の求人のギャップ)