III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (<特集>磁性体物理)
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概要
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A new III-V based diluted magnetic semiconductor, GaMnAs has been successfully grown on (001) GaAs using low-temperature molecular beam epitaxy. The GaMnAs films have p-type conduction with hole concentrations ranging from mid 10^<l7> to low 10^<20> cm^<-3>, exhibiting ferromagnetic ordering at low temperatures. Magnetic and magnetotransport properties are studied at low temperature.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
著者
-
田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
島田 宏
東大低温センター
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
島田 宏
東京大学低温センター
-
田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
林 稔晶
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
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