西永 頌 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
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西永 頌
名古屋大学工学部
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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成塚 重弥
東京大学大学院工学系研究科
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成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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成塚 重弥
名城大・理工
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成塚 重弥
名城大学理工学部
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西永 頌
豊橋技術科学大学
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巖 崢
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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嚴 崢
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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中村 卓義
東京大学院工学系研究科電子工学
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中村 卓義
東京大学大学院工学系研究科
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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島田 宏
東大低温センター
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島田 宏
東京大学低温センター
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高田 幹
東京大学大学院工学系研究科
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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林 稔晶
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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松永 泰彦
東京大学大学院工学系研究科
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嚴 峨
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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西永 頌
名城大学
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小倉 誉之
東京大学大学院工学系研究科
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沈 旭強
東大院 工学系 電子
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沈 旭強
東京大学大学院工学系研究科
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岸本 大輔
東京大学大学院工業系研究科
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ボロシン A.e.
ロシア科学アカデミー結晶学研究所
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Huo Chongru
中国科学院物理研究所
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ロモフ A.A.
ロシア科学アカデミー結晶学研究所
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ゲー P.
中国科学院物理研究所
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フオ C.
中国科学院物理研究所
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GE Peiwen
中国科学院物理研究所
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GE P.
中国科学院物理研究所
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HUO C.
中国科学院物理研究所
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HUANG W.
中国科学院物理研究所
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YU Y.
中国科学院物理研究所
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Bacchin G
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
著作論文
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
- 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
- InPマイクロチャンネルエピタキシーにおける界面過飽和度とステップ移動速度 : 溶液成長
- LPEマイクロチャンネルエピタキシーにおける積層欠陥での2次元核の発生 : 溶液成長
- InP横方向成長におけるステップ源
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (磁性体物理)
- マイクロプローブ-RHEED/SEM MBEによるGaAsピラミッド形成の実時間観察と形態制御 : エピタキシャル成長III
- 化合物半導体における格子不整合とマイクロチャネルエピタキシー
- 中国の回収型衛星によるGaSbのブリッジマン成長 : 溶液成長のその場観察III
- ディスク形状を持つ段差基板上での GaAs MBE 成長の実時間観察 : エピタキシー I
- 25aL-4 GaAs分子線エピタキシにおける二次元核の制御と微細構造作製への応用
- 宇宙で成長させたGaSbのX線トポグラフおよびX線回折法による評価
- NASAのGASプログラムによるGaSbのブリッジマン成長 -計画の概要と地上予備実験-
- 軸足の位置
- ICCG-12/ICVGE-10報告
- "なぜ"と"チャンス"
- "表面"と"結晶成長"
- "ふわっと'92"と中国回収型衛星実験
- 結晶成長の価値
- 微小重力と先端基礎研究
- GaAs(110)基板上でのGaAsのPSE/MBE選択成長
- 二つの価値ベクトル (大学教育と企業の求人のギャップ)