GaAs(110)基板上でのGaAsのPSE/MBE選択成長
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概要
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Selectivity of GaAs on GaAs(100)substrates pattemed with a Si0_2 mask was studied by Periodic Supply Epitaxy(PSE)/MBE. Smooth GaAs epitaxial layers were successfully grown in the window areawhile no material was found to be formed onto the Si0_2 mask after the growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
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