23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
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概要
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In InP Microchannel Epitaxy (MCE) by liquid chase epitaxy (LPE), Sn:In=3:l (in weight) solution is used to achieve n-type doping. As the solubility of P in Sn is very high, the growth condition should be optimized by changing the size of the upper crystal. As the result, a wide dislocation-free n-type InP MCE layer, whose width was as large as 210 μn, was obtained on a Si substrate. The optical property of a MQW structure grown on the MCE layer was also excellent.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
東京大学大学院工学系研究科
-
西永 頌
東京大学大学院工学系研究科
-
巖 崢
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
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