02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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In micro channel epitaxy (MCE) it is sometimes observed a "lift up" phenomenon of the laterally grown layer, which grows gradually separate from the substrate. The "lift up" phenomenon is inconvenient for the device use of the layer because it makes the layer unstable and fragile. We examined the cause of the "lift up" phenomenon by changing the formation process of the SiO_2 mask used for MCE.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
伊藤 浩士
名城大・理工
-
山本 朗夫
名城大・理工
-
今井 巧
名城大・理工
-
寺前 文晴
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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