01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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The "droplet epitaxy" technique requires neither the induction of surface strain nor any antisurfactants, which means the possibility of the QD formation on any substrates. In this study, we have used NH_3 as the group V source in droplet epitaxy, since it doesn't induce any ion damage during nitridation. The effect of ammonia-ambient post-growth annealing in this technique is investigated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
近藤 俊行
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
大坪 弘明
名城大・理工
-
山本 陽
21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
山本 陽
21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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