26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Fabrication of step-free surface is important for realizing nano-size devices because monolayer step on Ge(100) surface induces anti-phase domains of GaAs heteroepitaxial layer. Atomically flat Ge(100) surface with device-size has never been accomplished. In this study, nearly step-free Ge(111) surface was successfully grown on mesa-patterned substrate by controlling the supersaturation of LPE.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
関連論文
- LPE法によるGe(111)表面のステップフリー化
- 26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 26aE02 ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Thin Film and Epitaxial Crystal Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
- 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
- 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
- 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
- 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
- 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
- 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
- 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
- InPマイクロチャンネルエピタキシーにおける界面過飽和度とステップ移動速度 : 溶液成長
- LPEマイクロチャンネルエピタキシーにおける積層欠陥での2次元核の発生 : 溶液成長
- InP横方向成長におけるステップ源
- 窒化物半導体の結晶成長の現状と課題 : 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して(日本結晶成長学会特別講演会)
- 量子ドットの使い道(量子ドットの使い道)
- 日本結晶成長学会の醍醐味(閑話休題)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 会員数の変遷が示す日本結晶成長学会発展への課題(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- Numerical Model for Oxygen Incorporation into AlGaAs Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Interface Study on GaAs-on-Si by Transmission Electron Microscopy : Surfaces, Interfaces and Films
- Microchannel Epitaxy of GaAs from Parallel and Nonparallel Seeds : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- AlSb Compositional Nonuniformity Induced by Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of Al_xGa_Sb
- A VISUAL CUE ENHANCES DIFFERENTIAL SENSITIVITY IN THE FEEDING BEHAVIOR OF DROSOPHILA(Physiology)(Proceeding of the Seventy-Third Annual Meeting of the Zoological Society of Japan)
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
- Comparative Ground Experiment of GaSb:Te Melt Growth to the Space Experiment by Chinese Recoverable Satellite
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)開催報告(学会活動報告)