ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
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概要
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Ge layer was grown on mesa pattern substrate by LPE . By supercooled growth with low supersaturation, the nucleation density was drastically reduced and flat face with few steps was obtained on the upper surface of some mesas.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
-
松田 圭司
名城大学理工学部材料機能工学科
-
宰川 法息
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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