成塚 重弥 | 名城大学理工学部材料機能工学科
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概要
関連著者
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成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
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成塚 重弥
名城大・理工
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成塚 重弥
名城大学理工学部
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成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
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丸山 隆浩
名城大・理工
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丸山 隆浩
名城大学理工学部
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成塚 重弥
名城大学 理工学部 材料機能工学科
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手嶋 康将
名城大学理工学部
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鈴木 堅志郎
名城大学理工学部
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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西永 頌
豊橋技術科学大学
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西永 頌
名城大学理工学部
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西永 頌
名古屋大学工学部
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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松田 圭司
名城大学理工学部材料機能工学科
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宰川 法息
名城大学理工学部材料機能工学科
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寺嶋 一高
湘南工科大学
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寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
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西村 鈴香
湘南工科大学マテリアル工学科
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竹内 智彦
慶應義塾大学理工学研究科
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鈴木 喬
名城大理工
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纐纈 明伯
東京農工大
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小林 理
名城大学理工学部材料機能工学科
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光田 和弘
名城大学理工学部材料機能工学科
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鈴木 喬
名城大学理工学部
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竹内 智彦
慶應義塾大学
著作論文
- ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- 窒化物半導体の結晶成長の現状と課題 : 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して(日本結晶成長学会特別講演会)
- 量子ドットの使い道(量子ドットの使い道)
- 日本結晶成長学会の醍醐味(閑話休題)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 会員数の変遷が示す日本結晶成長学会発展への課題(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)