纐纈 明伯 | 東京農工大学大学院・工学系

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概要

• 同名の論文著者
• 東京農工大学大学院・工学系の論文著者

関連著者

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院・工学系

• 熊谷 義直

  東京農工大学大学院工学研究院

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所

• 関 壽

  東京農工大学・工

• 寒川 義裕

  九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻

• 寒川 義裕

  九大・応力研

• 関 寿

  農工大

• Koukitu Akinori

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門

• 熊谷 義直

  東京農工大学

• 寒川 義裕

  東京農工大学大学院工学系

• 松尾 有里子

  東京農工大工学部

• 松尾 有里子

  東京農工大学工学部

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 入澤 寿美

  学習院大学

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学研究科応用化学専攻

• 入澤 寿美

  学習院大計セ

• 関 寿

  東京農工大学 工学部

• 村上 尚

  東京農工大学大学院・工学系

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 村上 尚

  東京農工大学

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 高橋 直行

  静大院理工

• 井上 直久

  大阪府大

• 井上 直久

  大阪府立大学先端科学研究所

• 高橋 直行

  東京農工大学工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学工学部

• 富樫 理恵

  東京農工大学大学院・工学系

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学工

• 寒川 義裕

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 佐藤 勝昭

  東京農工大学

• 菊地 潤

  東京農工大学大学院・工学系

• 井上 直久

  大阪府大先端研

• Sato K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学

• 石橋 隆幸

  長岡技術科学大学 工学部

• 大久保 一平

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大学 先端科学研究所

• Satoh K

  Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology

• 石橋 隆幸

  東京農工大学大学院工学教育部

• Sato K

  Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University

• Satoh K

  Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn

• 佐藤 勝昭

  東京農工大

• 石橋 隆幸

  東京農工大

• 井上 直久

  大阪府立大先端研

• 田中 健

  東京農工大学大学院応用化学専攻

• 横山 悦郎

  学習院大

• 北村 雅夫

  京大・院・理

• 横山 悦郎

  学習院大学計算機センター

• 北村 雅夫

  京大理

• 北村 雅夫

  京都大学理学部地質鉱物教室

• 北村 雅夫

  京都大

• 佐藤 史隆

  東京農工大学大学院・工学系

• 井上 直久

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 町田 賢司

  Nhk放送技術研究所

• 原田 英明

  大阪府立大学先端科学研究所

• 柿本 浩一

  九州大学 応用力学研究所 基礎力学部門

• 伊藤 智徳

  三重大学 工学部 物理工学科

• 山根 貴好

  東京農工大学大学院 工学系

• 三箇山 毅

  大阪府立大学先端科学研究所

• 山本 尚弘

  東京農工大学大学院工学教育部

• 手塚 智之

  東京農工大

• 森下 義隆

  東京農工大

• 佐藤 史隆

  東京農工大学大学院 工学系

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学系応用化学

• 瀧 哲也

  東京農工大学工学部

• 船尾 大輔

  大阪府立大学先端科学研究所

• 入澤 寿美

  学習院大

• 松本 喜以子

  東京農工大・工

• 仁村 幹彦

  東京農工大学・工

• 松本 喜以子

  学習院大計セ

• 田中 健

  東京農工大学大学院・工学系

• 田中 健

  東京農工大 大学院

• 三箇山 毅

  大阪府立大先端研

• 大久保 一平

  大阪府立大先端研

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 町田 賢司

  日本放送協会放送技術研究所

• 飯原 順次

  住友電工(株)解析技術研究センター

• 山口 浩司

  住友電工(株)解析技術研究センター

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 成塚 重弥

  名城大・理工

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部

• 成塚 重弥

  名城大学 理工学部 材料機能工学科

• 鈴木 ひかり

  東京農工大学大学院 工学系

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 秋山 和博

  東京農工大学大学院 工学系

• 江里口 健一

  東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点

• 石井 健一

  東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点

• 大平 重男

  日本軽金属(株)グループ技術センター

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• Laird B

  Univ. Kansas

• 纐纈 明伯

  東京農工大学工学部

• 大平 重男

  日本軽金属(株)

• Laird Brian

  カンザス大

• 三浦 祥紀

  東京農工大学工学部

• 鹿内 洋志

  東京農工大学工学部応用分子化学科

• 森 篤史

  徳島大工

• Sato Kiyoo

  College Of Liberal Arts Toyama University

• Satoh K

  Univ. Electro‐communications Tokyo

• 関 壽

  (株)巴商会 技術本部 横浜研究所

• 藤野 真理恵

  東京農工大学大学院工学系

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系

• 岡田 安史

  東京農工大学大学院工学系

• 岩本 智行

  東京農工大学大学院工学系

• 野間 かおり

  東京農工大学大学院工学系

• 国司 洋介

  東京農工大学 工学部

• 仁村 幹彦

  帝人システムテクノロジー

• 真弓 美帆

  東京農工大学・工

• 西森 洋介

  東京農工大学・工

• 河口 紀仁

  東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部

• 棚橋 克人

  大阪府立大学総合科学部

• 成塚 重弥

  名城大学大学院理工学研究科

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院工学系ナノ未来科学研究拠点

• 纐纈 明伯

  東京農工大学 工学部

• SATO Kazutaka

  Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研研所

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著作論文

• 日本結晶成長学会・会長退任にあたり
• 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
• 原子層エピタキシーに魅せられて : 窒化ガリウム自立基板結晶の創製
• InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
• 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
• 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• シリコン中の窒素の構造決定
• 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
• Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析
• 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
• Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態の解析(ハードディスクドライブ及び一般)
• GaAs(001)Ga面上への水素吸着 : その場観察とab initio計算
• N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
• 化合物半導体の原子層エピタキシー
• GaAs原子層エピタキシーのその場観察 : グラヴィメトリック法および表面光吸収法(「核形成と成長カイネティクス」)
• Al原料制御によるAlNのHVPE成長(AlN結晶成長シンポジウム)
• 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• ナノ未来材料
• シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
• 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
• 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
• 化合物半導体気相成長の熱力学
• ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
• 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
• 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
• 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
• GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
• パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
• GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
• 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
• 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
• 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
• 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
• 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
• InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
• III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(III) : エピタキシー
• III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(II) : エピタキシー
• III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(I) : エピタキシー
• 日本結晶成長学会第10代会長挨拶
• エピタキシャル成長とバッファー層
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析

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