N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A chemical equilibrium model is applied to the MBE growih of InN, GaN and ALN semiconductors using atomic nitrogen source. The equilibrium partial pressure and the growih rate are calculated. The phase diagram of the deposition indicating etching, droplet and growih regions is computed for the growth. In addition, the interactive phase diagram system, which provides thermodynamic information on the growth conditions for every crystal-growers,is shown.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
関連論文
- 日本結晶成長学会・会長退任にあたり
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 原子層エピタキシーに魅せられて : 窒化ガリウム自立基板結晶の創製
- InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- シリコン中の窒素の構造決定
- ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製
- ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製
- In_ Ga_x As_y P_ 四元混晶の気相成長
- パーマロイ円形ドット配列の磁化反転
- ナノ磁性体規則配列の作製と磁化状態の解析
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析
- 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態の解析(ハードディスクドライブ及び一般)
- 電気化学析出法による非晶質酸化ビスマス薄膜の作製
- AP-HCVD法により作製したσ-Bi_2O_3薄膜へのガス供給の影響と表面モフォロジー
- 17aD01 大気圧ハライド気相成長法によるYSZ(111)基板上へのδ-Bi_2O_3薄膜の作製(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
- 大気圧ハライド気相成長法によるδ-Bi2O3薄膜の作製と薄膜構造評価用X線回折装置による結晶性評価
- 薄膜化プロセスにより実現した室温で安定な螢石型酸化ビスマスの作製
- オプトアジレント機能を有する金属窒化物薄膜の創製--金属窒化物薄膜の不思議な機能
- ユーロピウムをドープした青色および緑色発光アルミン酸塩のEPR評価
- ユーロピウムをドープした青色および緑色発光アルミン酸塩のEPR評価
- GaAs(001)Ga面上への水素吸着 : その場観察とab initio計算
- N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
- 化合物半導体の原子層エピタキシー
- GaAs原子層エピタキシーのその場観察 : グラヴィメトリック法および表面光吸収法(「核形成と成長カイネティクス」)
- ハロゲン系原子層エピタキシ-におけるGaAs成長過程のその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- TiO焼結体の物理的諸性質におよぼすMgO添加の影響
- Al原料制御によるAlNのHVPE成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- ナノ未来材料
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- 開管系におけるInPの気相成長 : 結晶成長
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- GaAsの気相成長に関する熱力学的考察 : 半導体(結晶成長)
- 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
- 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
- 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
- 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
- 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- 西澤潤一
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-1-混晶薄膜の結晶成長メカニズム
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術 (薄膜技術--ウェットかドライか)
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(III) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(II) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(I) : エピタキシー
- GaおよびInのHClによる気相輸送
- 日本結晶成長学会第10代会長挨拶
- エピタキシャル成長とバッファー層
- 電気天秤と透明炉によるGaAsクラストの観察
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
- InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
- 単一温度域法によるGaAsの気相成長;GaAs-AsCl_3-He-H_2系 : VPEとホイスカー
- 単一温度域法によるGaAsの低温成長
- Ga-(As,P)Cl_3-H_2系におけるクラスト形成過程の直接観察 : エピタクシー
- 高融点酸化物の非晶質化とイオン伝導性
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- MOVPE成長におけるInGaN混晶形成過程のシミュレーション : 気相成長IV
- GaNの分解速度の水素分圧依存性 : エピタキシャル成長I
- GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- 3-5族半導体の気相エピタキシャル成長
- AlGaInP四元混晶の平衡計算
- In_ Ga_x As_y P_ 気相成長の熱力学計算
- 単一温度域法による高純度GaAsの気相成長 : 気相成長
- 相分離を伴う混晶結晶中の微小クラスタ分布シミュレーション : 成長界面II
- "「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考"小特集にあたって
- GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
- In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 窒化物半導体の八イドライド気相成長技術の現状と課題
- 25pWE-9 シリコン中の窒素空孔複合体の基準振動の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))