ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製
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概要
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独自のハライドVPEによりサファイア基板上へのZnO薄膜の作製を行い、その構造と光学特性について検討した。ZnO薄膜の成長速度は成長温度の増加とともに増加し、950℃において約3μm/hとなった。X線回折測定の結果より、サファイア基板上にc軸配向のみを示すhexagonal構造のZnO薄膜が得られ、エピタキシャル成長していることがわかった。二結晶法によるZnO薄膜のFWHM(半値幅)は23.3分を示した。また、低温のホトルミネッセンス測定において370nm付近にZnOの励起子発光が観察された。これらの結果より、ハライドVPEにより良質のZnO薄膜が得られることがわかった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
山元 明
東京工科大学
-
山元 明
東京工科大
-
百瀬 与志美
静大電研
-
百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
-
高橋 直行
静岡大学工学部物質工学科
-
貝谷 和彦
静岡大学工学部物質工学科
-
大道 浩児
静岡大学工学部物質工学科
-
高橋 直行
静大院理工
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
貝谷 和彦
静岡大学工学部
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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