遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
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概要
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酸化ガリウムに遷移金属であるCrを添加したGa_2O_3:Cr蛍光体薄膜をGaN:CrまたはGa_2O_3:Crを蒸発源とする電子ビーム蒸着法及びその後の空気中アニールにより作製した。GaN:Crを蒸発源として作製したas-depoの膜は僅かに酸素を含む1μm前後の島状のGa金属膜であり、Ga_2O_3:Crを蒸発源とした場合には、平坦性の良いアモルファスGa酸化物膜であった。これらを空気中900℃以上でアニールすることによりいずれもGa_2O_3:Cr薄膜が形成された。その結晶性はアニール時間の増加とともに向上した。いずれのGa_2O_3:Cr薄膜もHe-Cdレーザーの325nm及び2keVの電子線励起でCr^<3+>イオンクラスタに基づくと思われる730nm付近にピークを持つブロードな赤色から近赤外にかけての発光を示した。
- 2000-11-02
著者
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
成瀬 紀裕
静岡大学電子工学研究所
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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