二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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蒸着時の薄膜に対する汚染の低減及び膜質の向上を目的として2個の電子銃を用いた二源EB蒸着法によりSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製を試み,従来の抵抗加熱法による多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜との比較・検討を行った.二源EB蒸着法により作製した薄膜ではEu^2による530 nm 付近にピークを持つ緑色発光を得ることができ,抵抗加熱法の薄膜と比較してPL強度,CL輝度いずれにおいても桁違いに高く,二源EB蒸着法がSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製に有効であることが示された.Va = 3kV, Js = 60μA/cm^2励起のCLでは,二源EB蒸着法により積層蒸着した薄膜において約4400 cd/m^2,同時蒸着した薄膜において約1100 cd/m^2の輝度を得られた.CIE色度座標は(0.26, 0.69)であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-17
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
新井 裕子
(株)日本製鋼所
-
新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
新井 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
井和丸 昌
静岡大学電子工学研究所
-
曽和 国容
デンソー工業技術短期大学校
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