多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
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概要
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青色エレクトロルミネッセント用蛍光体SrGa_2S_4 : Ce薄膜の低温プロセスで作製することを目的とし、多元蒸着法を用いて薄膜作製を試みた。III族及びV族用蒸発源材料であるGa_2S_3は蒸発の際にGaSとS_2として分解し、基板上ではSr, GaS及びS_2との反応によってSrGa_2S_4,SrS及びGaSが形成され、それらの相の割合は基板温度や原料供給比に依存することがわかった。基板温度450℃、原料供給比Ga_2S_3/Sr=300として、堆積後600℃で3時間の熱処理を施すことによって薄膜は、SrGa_2S_4 : Ceを作製でき445nm及び490nmにピークを持つのPLスペクトルが得られた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-02-20
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
-
中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
-
芝 文広
静岡大学電子工学研究所
-
芝 文広
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
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