水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
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概要
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水素ラジカル励起M0CVD法でシリコン基板上にZnSeを成長した。極性のあるGaAs基板上では良好にZnSeのエピタキシャル成長が生じるが、水素ラジカルを導入することによって通常では困難であるSi(100)およびSi(111)上にエピタキシャル成長することができた。無極性のSi基板上に、極性があり約4%の格子不整合のあるZnSeをエピタキシャル成長するには水素ラジカルの存在が重要であり、表面反応の促進と弱い結合の切断が生じたことによると考えられる。また、水素ラジカルによりZnSeのエッチングが生じることもわかり、堆積速度との間に相関関係が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
森田 元彦
Central Electrochemical Research Institute
-
森田 元彦
静岡大学電子工学研究所
-
Rao M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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