22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
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概要
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Photocurrent multiplication and switching phenomena have been investigated in a amorphous siliconcarbide/amorphous silicon heterojunction. These were considered because of the electron tunneling through amorphous siliconcarbide layer, due to high electric field caused by the carrier accumulation at the hetero-junction interface.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-28
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