温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-11-30
著者
-
小澤 哲夫
静岡理工科大学
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
疋田 卓也
静大電研
-
村上 倫章
静大電研
-
今野 有希子
静大電研
-
小山 忠信
静大電研
-
百瀬 与志美
静大電研
-
宮澤 政文
静大工
-
熊川 征司
静大電研
-
早川 泰弘
静大電研
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
関連論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 29a-YL-1 ポーラスシリコンの常磁性欠陥
- 回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
- InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 : 融液成長IV
- 温度差法,縦型ブリッジマン法及び回転ブリッジマン法によるInGaAs三元混晶半導体の結晶成長
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
- 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
- InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 51回 IAF 国際会議の報告
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察(2) (微小重力科学)
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 「基板結晶」小特集によせて(特集序文)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_xGaSb混晶成長 (II)
- 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- ホットウォール法によるInAsSb結晶成長のためのアンプル作製
- InGaSb結晶成長における重力効果
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- In-Sb系融液の均一分散・混合化実験(IML-2)の評価
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構
- InSb結晶中へのGaの高速拡散とInの析出 : 半導体液相成長I
- 03aC16 化学溶液塗布法による(Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の結晶成長(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
- Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長と評価
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 日本結晶成長学会創立30周年記念事業と各種委員会(第3章 記念事業記録,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際賞,論文賞,技術賞,奨励賞(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際会議(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 結晶成長国内会議(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 東海支部浜松会場のリフレッシュ理科教室 : つくってはかろう!いろんなモノ!
- 東海支部浜松会場でのリフレッシュ理科教室 : 音音音の世界で遊ぼう
- 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察 (微小重力科学)
- 3-5族多元混晶半導体のバルク単結晶成長技術 (特集 情報・通信の変革に伴う 基板材料の新展開) -- (半導体応用基板)
- 24aB5 地上および微小重力下でのInGaSb結晶成長における溶液対流解析(バルク成長VII)
- 回転ブリッジマン法における成長溶液内の熱伝導シミュレーション : 溶液成長
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 回転ブリッジマン法による四元混晶成長と熱力学的計算 : 溶液成長II
- 回転ブリッジマン法による化合物半導体混晶結晶成長
- Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y四元混晶半導体の単結晶成長(第1報)
- 高速回転ブリッジマン法によるGaInAsSb四元混晶成長 : 融液成長III
- 回転ブリッジマン法による三元混晶半導体の結晶成長(第2報)
- 高速回転ブリッジマン法による三元混晶成長
- 回転ブリッジマン法による三元混晶液相エピタキシー : 液相エピキタシー
- 回転ブリッジマン法による三元混晶半導体の結晶成長(第1報)
- 微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長