InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長
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概要
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均一組成比のIn_xGa_<1-x>バルク結晶を温度差法を用いてGaAs種結晶上に成長させた。種結晶の下においたカーボンペデスタルの長さを15mmから75mmへと大きくすることにより、平均成長速度分布は1.5倍に増加することができた。InGaAs結晶成長時の溶液対流が液相組成比分布、成長界面形状、成長速度分布に及ぼす効果を調べるために、固液熱伝導を含む数値解析を行った。カーボンペデスタル長が大きくなると、熱逃げが大きくなり、さらに流速が増加する結果、供給原料側から種結晶側への溶質供給が促進され、成長速度が中央部で大きくなることがわかった。この結果は実験から得られた結果と定性的に一致していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
小澤 哲夫
静岡理工科大学
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
大西 佳文
静岡大学電子工学研究所
-
小野 博明
静岡大学電子工学研究所
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