早川 泰弘 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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飯田 晋
静大電研
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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村上 倫章
静大電研
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飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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ASWAL D.
バーハ原子センター
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Aswal D.k.
バーハ原子研究センター
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村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
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森 徹
静岡大学電子工学研究所
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宮澤 政文
静大工
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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宮澤 政文
静岡大学工学部
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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平田 彰
早稲田大学理工学部
-
平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
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疋田 卓也
静大電研
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百瀬 与志美
静大電研
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小松 秀輝
静岡大
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中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
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Aswal D.K.
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
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山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
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佐野 信
静岡大学大学院電子科学研究科
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アリバナンドハン ムカンナン
静岡大学電子工学研究所
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安藤 正彦
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大学
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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佐野 信
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
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鶴田 卓也
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
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ラジェッシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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村井 崇志
静岡大学電子工学研究所
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新村 光世
静岡大学電子工学研究所
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今石 宣之
九州大学機能物質科学研究所
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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大津 弘毅
静大電子研
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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ラジェツシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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浜川 恵美
静岡大学電子工学研究所
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興津 和彦
静大電研
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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山下 圭一
静岡大学電子工学研究所
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高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
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高橋 克己
IHI 技研
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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小山 忠信
静大電研
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熊川 征司
静大電研
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早川 泰弘
静大電研
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岡野 泰則
静大工
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大電子研
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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山口 十六夫
静岡大学
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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正木 みゆき
石川島播磨技研
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大津 弘毅
静岡大学電子工学研究所
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南 里江
静岡大学電子工学研究所
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中村 慎吾
静大電研
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小山 忠信
静岡大・電研
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依田 真一
宇宙開発事業団
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木村 忠
静岡大
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新船 幸二
静岡大
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岡野 泰則
静岡大
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村上 倫章
静岡大
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早川 泰弘
静岡大
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熊川 征司
静岡大
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター
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岡野 泰則
静岡大学創造科学技術大学院
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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岡野 義則
静岡大学工学部
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今石 宣之
九大機能研
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岡野 泰則
静岡大学
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Jayavel Pachamuthu
静大電研
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橘 正人
早稲田大学理工学部
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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今石 宣之
九州大学
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木村 忠
静岡大 電子工研
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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藤原 省悟
早稲田大学理工学部
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酒井 奨
静岡大学工学部
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大・電子研
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バラクリシュナン K.
静岡大学電子工学研究所
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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ASWAL Dinesh
Technical Physics and Prototype Engineering Division, Bhabha Atomic Research Center
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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喜多 隆介
静岡大学工学部
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佐々木 実
山形大理
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大西 彰正
山形大理
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章 国強
静岡大学電子工学研究所
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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Koyama Tadanobu
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Hayakawa Yasuhiro
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大
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安達 広樹
静岡大
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中野 学
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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中山 顕
静岡大学工学部機械工学科
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西村 隆司
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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RAJESH Govindasamy
静岡大学
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ARIVANANDHAN Mukannan
静岡大学
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田中 智之
静岡大学
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今野 有希子
静大電研
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新船 幸二
静大電子研
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中村 徹郎
静岡大
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DOST S.
ビクトリヤ大
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DAO Le
ケベック大
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熊川 征司
静岡大電子研
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大学電子工学研究所
-
KRISHNAMURTHY Daivasigamani
静岡大学電子工学研究所
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DOST Sadic
University of Victoria
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BALAKRISHNAN K.
静大電子研
-
DOST S.
ヴィクトリア大
-
DAO LE.
ケベック大
-
山口 十六夫
静大電子研
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西村 隆司
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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木村 忠
静岡大学大学院電子科学研究科・三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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室谷 利夫
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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大坂 敏明
早稲田大学
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宮田 忠幸
静岡大学電子工学研究所
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疋田 卓也
静岡大学電子工学研究所
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清水 英利
静岡理工科大学
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安廣 祥一
九大
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安廣 祥一
九州大学機能物質科学研究所
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小澤 哲夫
静岡工科大学
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岡野 泰則
東北大学金属材料研究所
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熊川 征司
静岡大・電子研
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西澤 伸一
電総研
-
西澤 伸一
早稲田大学理工学部
-
大澤 功
静岡大学電子工学研究所
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KUMAGAWA Masashi
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
大津 弘穀
静岡大学電子工学研究所
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正木 みゆき
静岡大学電子工学研究所
-
高橋 克巳
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 隆広
静岡大学工学部
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永井 洋希
静大電研
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Balakrishnan K.
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学大学院電子科学研究科
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興津 和彦
静岡大学大学院電子科学研究科
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熊川 征司|
静岡大学電子工学研究所
-
太坂 敏明
早稲田大学
-
斉藤 幸夫
静岡大学電子工学研究所
-
Koyama Tadanobu
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
BALAKRISHNAN Krishnan
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
村上 倫章
静岡大・電研
-
中村 慎吾
静岡大・電子研
-
Jayavel Pachamuthu
静岡大・電子研
-
中村 慎吾
静岡大学電子科学研究科
-
新船 幸二
岡大学電子工学研究所
-
新船 幸二
静大・電子研
-
村上 倫章
静大・電子研
-
小山 忠信
静大・電子研
-
早川 泰弘
静大・電子研
-
熊川 征司
静大・電子研
-
章国 強
静岡大学電子工学研究所
-
OHTSU Hiroki
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Krishnamurthy D.
静岡大学電子工学研究所
-
DOST Sadik
カナダビクトリア大学機械工学科
-
毛 倫
静岡大学大学院電子科学研究科
-
浅井 誠
静岡大学電子工学研究所
-
関島 雄徳
静岡大学電子工学研究所
-
鳥居 尚哉
静岡大学電子工学研究所
-
Aswal D.K
バーハ原子研究センター
-
助川 徳三
静岡大学
-
鶴田 卓也
静岡大学大学院電子科学研究科
-
水野 真
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
-
杉本 祐司
静岡大学電子工学研究所
-
祖父江 哲也
静岡大学電子工学研究所
-
中山 顕
静岡大学工学部
著作論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
- InGaAs三元混晶半導体のパルク結晶成長 : 融液成長IV
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
- 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
- InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察(2) (微小重力科学)
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 「基板結晶」小特集によせて(特集序文)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へにInGaAs横方向成長(III)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_xGaSb混晶成長 (II)
- 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- ホットウォール法によるInAsSb結晶成長のためのアンプル作製
- InGaSb結晶成長における重力効果
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- In-Sb系融液の均一分散・混合化実験(IML-2)の評価
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構
- InSb結晶中へのGaの高速拡散とInの析出 : 半導体液相成長I
- 03aC16 化学溶液塗布法による(Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の結晶成長(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
- InGaAs三元混晶の温度差法による結晶成長と溶液対流の数値解析
- InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
- Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長と評価
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 日本結晶成長学会創立30周年記念事業と各種委員会(第3章 記念事業記録,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際賞,論文賞,技術賞,奨励賞(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際会議(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 結晶成長国内会議(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 東海支部浜松会場のリフレッシュ理科教室 : つくってはかろう!いろんなモノ!
- 東海支部浜松会場でのリフレッシュ理科教室 : 音音音の世界で遊ぼう
- 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA06 InGaSb均一組成結晶成長のための成長速度測定(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長
- 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長
- Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
- 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験
- 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長の一次元モデル解析
- Composition Conversion Mechanism of InSb into InGaSb
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- Yba_2Cu_3Ox及びSmBa_2Cu_3Ox高温超伝導体におけるMn添加効果
- SmBa_2Cu_3O_x高温超伝導体におけるBaサイトへのSm置換効果 : 超伝導I
- 横長のボート型坩堝を用いたYBa_2Cu_3O_x結晶成長 : 超伝導I
- SmBa_2Cu_3O_x高温超伝導体のMn添加効果 : 超伝導酸化物
- YBa_2Cu_3O_x高温超伝導体のMn添加効果 : 超伝導酸化物
- Bi系高温超伝導体への不純物添加効果(I) : 超伝導酸化物
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体への不純物添加効果 : 溶液成長I
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長 : 溶液成長II
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_X酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- 高温光学顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- Y_yND_Ba_2Cu_3O_x高温酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長 : バルク成長VI
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作製と結晶成長
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長
- 高温顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長
- 23aA1 Y_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の結晶成長(バルク成長III)
- 第29回結晶成長国内会議および第24回結晶成長討論会報告
- InSb結晶中へのGaの高速拡散
- InSb結晶中へのGaの高速拡散
- 融液温度への超音波振動導入効果 : 融液成長IV
- 超音波振動導入融液からのInGaSb混晶成長
- E-6 大型In_xGa_Sb混晶成長に及ぼす超音波振動の効果(II)(音波物性)
- E-5 大型In_xGa_Sb混晶成長に及ぼす超音波振動の効果(音波物性)
- 23aA3 YBa_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の結晶成長その場観察(バルク成長III)
- 23aA2 低酸素分圧下におけるNd123-Ba_3Cu_O_擬似二元相図と結晶成長(バルク成長III)
- NdBa_2Cu_3O_x結晶成長のその場観察 : 結晶成長のその場観察II
- Ag添加自己fluxからのYBa_2Cu_3O_x結晶成長のその場観察 : 結晶成長のその場観察II
- LPE結晶成長に及ぼす溶液対流の効果
- Nucleation and Growth Mechanism of NdBa_2Cu_3O_x
- 回転振動引上げ法によるInGaSb三元混晶成長 : 融液成長IV
- LPE法によるIn_xGa_Sb厚膜結晶成長と電流偏析効果 : エピタキシーII
- 混晶半導体バルク結晶成長
- JASMAC-19報告
- 宇宙技術に関する第6回日本-カナダワークショップ報告
- 24aB5 地上および微小重力下でのInGaSb結晶成長における溶液対流解析(バルク成長VII)
- 回転ブリッジマン法における成長溶液内の熱伝導シミュレーション : 溶液成長
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- 回転ブリッジマン法における回転効果の数値解析
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)
- InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長
- CZ結晶における不純物濃度分布の数値解析
- InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 (II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 気相と液相の二回成長によるPbTeの大型結晶
- エレクトロエピタキシー法によるPb_x Sn_ Teの組成変調効果の有無 : 液相エピキタシー
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- InAsSb三元混晶半導体結晶成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)
- 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロ エピタキシー
- 液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロエピタキシー
- 高温光学顕微鏡による低酸素雰囲気下のNdBa_2Cu_3O_x-Ba_3Cu_10O_13相図作成とNdBa_2Cu_3O_x結晶成長その場観察
- 回転ブリッジマン法による四元混晶成長と熱力学的計算 : 溶液成長II
- 回転ブリッジマン法による化合物半導体混晶結晶成長
- 高速回転ブリッジマン法による三元混晶成長
- 回転ブリッジマン法による三元混晶液相エピタキシー : 液相エピキタシー
- Growth and Morphology of YBa_2Cu_3O_x Single Crystals
- 超音波振動導入チョクラルスキー法による大型In_x Ga_ Sb混晶成長 : 融液成長II
- InAsSb三元混晶半導体結晶成長
- 微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長
- G-15 超音波振動導入回転引上げ法によるInGaSb結晶成長
- 超音波振動導入による溶液温度変化
- 超音波振動導入回転引上げ法によるIII-V族半導体のバルク結晶成長(II)(ソノケミストリーの新しい展開)
- 超音波振動導入回転引上げ法によるIII-V族半導体のバルク結晶成長(I)(ソノケミストリーの新しい展開)
- 音響振動導入回転引き上げ法によるInSbバルク結晶成長
- 超音波振動利用による半導体成長結晶の品質改善(特別講演)
- 微小重力下と地上におけるGaSb/InSb/GaSb試料の溶解実験と数値解析